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第142章 开始（第3页）

“怎么会这样？”成兴挠了挠头。“要不你们的镊子，投向其他期刊？”

“没有必要。”云丽耸了耸肩。“你没有听说吗？陈泉和曲燕秋要开一个新的大项目，我们以后的论文不会缺的。”

“是吗？”

“当然了！不过要是你不跟过来，弄不好新项目里就没有你的份了。”

“呃.....”

成兴又开始纠结了。

看起来先转集成电路专业，是个进可攻退可守的选项。但实际呢？成兴又不是陈泉那样的明星学生，工大怎么可能容忍一个普通学生多次转换专业？

一边是唾手可得的Easymoney，另一边是遥遥无期的儿时愿望。

“别说话了。仪式开始了。”冯言低声说道。

.......

在热烈的掌声中，赵良材代表期刊审委会，从一位应邀前来考察的白人学者手里，接过一副象征授权的委任书。

《MEMSSensor》正式创刊了。

黄楚雄等核心人员在舞台上站成一排，迎接着不断亮起的照相机闪光灯。

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陈泉到奉天的时候，设备已经就位，各种外部气体管道都已经连好。

作为半导体设备的定点厂家，科仪的调试环境，比工大的微电子实验室，以及松花江半导体的MEMS实验室，条件都要更好。

这次陈泉的到来，主要是对一些变量进行最后的确定。

与普通设备不同，MOCVD的一些详细参数，在机械图上是无法全面表达的，例如喷嘴的角度，气体的流速，工件的加热温度等，这些都需要在最后的总装调试阶段，予以确认。

之所以GaN路线，很少有科研人员选择，除了GaN理论上存在的高缺陷（位错）密度，会影响光强以外，GaN的合成困难也是一个重要原因。

GaN材料的生长温度比传统半导体要高很多，一般在1000度以上。在如此高温下，衬底表面的气体会自发向上扩散，造成外延表面的氮分压不够，GaN很容易自发分解。

在陈泉提供的图纸中，提供了一种全新的结构，那就是双束流反应室结构。即一路为水平气流携带化学反应的前驱物进入反应室，另外一路为垂直的气流从反应室自上而下进入。

两股气流，一个是侧吹，一个是从上往下吹。自上而下的那股气流，就起到了压制GaN分解的作用。

原理说起来简单，但MOCVD的内部流体结构非常复杂，两股气流之间的相互关系，角度，速度，以及反应温度等，都需要通过多次试验，才能最后确定下来。

在陈泉的“记忆”里，“他”大概花了一周多的时间，才把几个重要数据完全确定。

“来，开始吧。”

在陈泉的点头示意下，设备开始通电.....

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